IRFR5410TRRPBF vs IRFR5410TRPBF Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IRFR5410TRRPBF par Infineon et IRFR5410TRPBF par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IRFR5410TRRPBF IRFR5410TRPBF
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,49 $0,71
Polarity P-Channel P-Channel
FET Type MOSFET (Metal Oxide Semiconductor) —
Technology HEXFET (5th Generation) HEXFET (advanced process, Gen 5)
VDS (Drain-Source Voltage) -100 V —
VGS (Gate-Source Voltage) ±20 V —
VGS(th) (Gate Threshold) -2 V to -4 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C -13 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=100C [DATA_NEEDED: ID at 100C] —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
RDS(on) max at VGS=-10V 205 mΩ —
RDS(on) typical at VGS=-10V 26 mΩ (per Mouser listing for IRFR5410TRPBF) —
Total Gate Charge (Qg) 70 nC —
Power Dissipation (Pd) at Tc=25C 66 W —
Température de jonction en fonctionnement -55C to +150C —
Boîtier TO-252AA (DPAK) TO-252AA (DPAK), surface mount
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Avalanche Rated Yes Yes (fully avalanche rated)
Lead-Free / RoHS Yes (PBF suffix indicates lead-free) —
Drain-Source Voltage (VDS) — -100 V
Continuous Drain Current (ID) at TC = 25 °C — -13 A
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max at VGS = -10 V — 205 mΩ
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Total Gate Charge (Qg) typ — 70 nC
Power Dissition (PD) at TC = 25 °C — 66 W
Plage de température de fonctionnement — -55 °C to +150 °C (TJ)
Lead-Free / RoHS Status — Lead-free, RoHS compliant (PBF suffix)
Niveau MSL — [DATA_NEEDED: MSL rating]
RDS(on) Test Conditions — VGS = -10 V, ID = -7.0 A

Fiches techniques et ressources

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