IRFR5410TRRPBF vs IRFR5410TRPBF Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IRFR5410TRRPBF por Infineon e IRFR5410TRPBF por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IRFR5410TRRPBF IRFR5410TRPBF
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,49 $0,71
Polarity P-Channel P-Channel
FET Type MOSFET (Metal Oxide Semiconductor) —
Technology HEXFET (5th Generation) HEXFET (advanced process, Gen 5)
VDS (Drain-Source Voltage) -100 V —
VGS (Gate-Source Voltage) ±20 V —
VGS(th) (Gate Threshold) -2 V to -4 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C -13 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=100C [DATA_NEEDED: ID at 100C] —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
RDS(on) max at VGS=-10V 205 mΩ —
RDS(on) typical at VGS=-10V 26 mΩ (per Mouser listing for IRFR5410TRPBF) —
Total Gate Charge (Qg) 70 nC —
Power Dissipation (Pd) at Tc=25C 66 W —
Temperatura de junção de operação -55C to +150C —
Encapsulamento TO-252AA (DPAK) TO-252AA (DPAK), surface mount
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Avalanche Rated Yes Yes (fully avalanche rated)
Lead-Free / RoHS Yes (PBF suffix indicates lead-free) —
Drain-Source Voltage (VDS) — -100 V
Continuous Drain Current (ID) at TC = 25 °C — -13 A
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max at VGS = -10 V — 205 mΩ
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Total Gate Charge (Qg) typ — 70 nC
Power Dissition (PD) at TC = 25 °C — 66 W
Faixa de temperatura de operação — -55 °C to +150 °C (TJ)
Lead-Free / RoHS Status — Lead-free, RoHS compliant (PBF suffix)
Nível MSL — [DATA_NEEDED: MSL rating]
RDS(on) Test Conditions — VGS = -10 V, ID = -7.0 A

Fichas técnicas e recursos

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