IRFS3006TRL7PP vs IRFS3107TRL7PP Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IRFS3006TRL7PP par Infineon et IRFS3107TRL7PP par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | IRFS3006TRL7PP | IRFS3107TRL7PP |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $1,75 | $0,85 |
| Type de transistor | N-Channel MOSFET | — |
| Technology | HEXFET (IR MOSFET™ planar) | IR HEXFET (Planar DMOS) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 60 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 240 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current rating] | — |
| On-Resistance RDS(on) max | 2.1 mΩ (per Mouser snippet) | — |
| On-Resistance RDS(on) typ | 1.5 mΩ | — |
| Gate Charge (Qg) | 200 nC (typical) | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical range] |
| Power Dissipation (PD) at Tc | 375 W | — |
| Température de jonction en fonctionnement | -55 °C to +175 °C | — |
| Boîtier | D2PAK (TO-263), 7-Lead, Surface Mount | D2PAK-7 (TO-263CB, 6 leads + tab) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Body Diode | Intrinsic, avalanche-rated | — |
| Niveau MSL | 1 (unlimited) | [DATA_NEEDED: MSL rating] |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Avalanche Energy (EAS) | [DATA_NEEDED: single-pulse avalanche energy] | — |
| RθJC Thermal Resistance | [DATA_NEEDED: junction-to-case thermal resistance] | — |
| FET Type | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) Max | — | 75 V |
| Continuous Drain Current (ID) @ Tc=25C | — | 240 A (DigiKey) / 195 A (per package datasheet snippet) |
| Courant de drain pulsé | — | [DATA_NEEDED: pulsed ID] |
| RDS(on) Max @ VGS=10V | — | 3 mOhm (Infineon) / 2.6 mOhm (Mouser) |
| Gate Charge (Qg) Typical | — | 160 nC |
| Maximum Power Dissition @ Tc=25C | — | 370 W |
| Plage de température de fonctionnement | — | -55C to +175C (junction) |
| Lead-Free | — | Yes |