IRFS3006TRL7PP vs IRFS3107TRL7PP Сравнение

Подробное сравнение бок о бок IRFS3006TRL7PP от Infineon и IRFS3107TRL7PP от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Infineon
IRFS3006TRL7PP IRFS3006TRL7PP - 60V 240A N-Ch HEXFET MOSFET | D2PAK-7 | Infineon

IRFS3006TRL7PP - 60V 240A N-Ch HEXFET MOSFET | D2PAK-7 | Infineon

IRFS3006TRL7PP ✓ Активен
Infineon
IRFS3107TRL7PP IRFS3107TRL7PP - 75V 260A 3mOhm N-Channel MOSFET | Infineon

IRFS3107TRL7PP - 75V 260A 3mOhm N-Channel MOSFET | Infineon

IRFS3107TRL7PP ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр IRFS3006TRL7PP IRFS3107TRL7PP
Бренд Infineon Infineon
Категория MOSFETs MOSFETs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $1,75 $0,85
Тип транзистора N-Channel MOSFET —
Technology HEXFET (IR MOSFET™ planar) IR HEXFET (Planar DMOS)
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 240 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current rating] —
On-Resistance RDS(on) max 2.1 mΩ (per Mouser snippet) —
On-Resistance RDS(on) typ 1.5 mΩ —
Gate Charge (Qg) 200 nC (typical) —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] [DATA_NEEDED: VGS(th) typical range]
Power Dissipation (PD) at Tc 375 W —
Рабочая температура перехода -55 °C to +175 °C —
Корпус D2PAK (TO-263), 7-Lead, Surface Mount D2PAK-7 (TO-263CB, 6 leads + tab)
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Body Diode Intrinsic, avalanche-rated —
Уровень MSL 1 (unlimited) [DATA_NEEDED: MSL rating]
Статус RoHS Compliant Compliant
Avalanche Energy (EAS) [DATA_NEEDED: single-pulse avalanche energy] —
RθJC Thermal Resistance [DATA_NEEDED: junction-to-case thermal resistance] —
FET Type — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) Max — 75 V
Continuous Drain Current (ID) @ Tc=25C — 240 A (DigiKey) / 195 A (per package datasheet snippet)
Импульсный ток стока — [DATA_NEEDED: pulsed ID]
RDS(on) Max @ VGS=10V — 3 mOhm (Infineon) / 2.6 mOhm (Mouser)
Gate Charge (Qg) Typical — 160 nC
Maximum Power Dissition @ Tc=25C — 370 W
Диапазон рабочих температур — -55C to +175C (junction)
Lead-Free — Yes

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену