IRFS3006TRL7PP vs IRFS3107TRL7PP 比較

詳細な並列比較: IRFS3006TRL7PP メーカー: Infineon および IRFS3107TRL7PP メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

Infineon
IRFS3107TRL7PP IRFS3107TRL7PP - 75V 260A 3mOhm N-Channel MOSFET | Infineon

IRFS3107TRL7PP - 75V 260A 3mOhm N-Channel MOSFET | Infineon

IRFS3107TRL7PP ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ IRFS3006TRL7PP IRFS3107TRL7PP
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $1.75 $0.85
トランジスタタイプ N-Channel MOSFET —
Technology HEXFET (IR MOSFET™ planar) IR HEXFET (Planar DMOS)
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 240 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current rating] —
On-Resistance RDS(on) max 2.1 mΩ (per Mouser snippet) —
On-Resistance RDS(on) typ 1.5 mΩ —
Gate Charge (Qg) 200 nC (typical) —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] [DATA_NEEDED: VGS(th) typical range]
Power Dissipation (PD) at Tc 375 W —
動作接合温度 -55 °C to +175 °C —
パッケージ D2PAK (TO-263), 7-Lead, Surface Mount D2PAK-7 (TO-263CB, 6 leads + tab)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
Body Diode Intrinsic, avalanche-rated —
MSLレベル 1 (unlimited) [DATA_NEEDED: MSL rating]
RoHS ステータス Compliant Compliant
Avalanche Energy (EAS) [DATA_NEEDED: single-pulse avalanche energy] —
RθJC Thermal Resistance [DATA_NEEDED: junction-to-case thermal resistance] —
FET Type — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) Max — 75 V
Continuous Drain Current (ID) @ Tc=25C — 240 A (DigiKey) / 195 A (per package datasheet snippet)
パルスドレイン電流 — [DATA_NEEDED: pulsed ID]
RDS(on) Max @ VGS=10V — 3 mOhm (Infineon) / 2.6 mOhm (Mouser)
Gate Charge (Qg) Typical — 160 nC
Maximum Power Dissition @ Tc=25C — 370 W
動作温度範囲 — -55C to +175C (junction)
Lead-Free — Yes

データシート&リソース

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