IRFS4010TRLPBF vs IRFS7440TRLPBF Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IRFS4010TRLPBF par Infineon et IRFS7440TRLPBF par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | IRFS4010TRLPBF | IRFS7440TRLPBF |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,86 | $0,98 |
| FET Type | N-Channel MOSFET | N-Channel |
| Technology | IR MOSFET (HEXFET) | MOSFET (Metal Oxide Semiconductor) |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 100 V | 40 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | 180 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| RDS(on) max @ VGS=10V | 4.7 mOhm | — |
| Gate-to-Source Voltage (VGS) max | Plus or minus 20 V | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) value] | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 143 nC | 90 nC (typical) |
| Power Dissipation (PD) at TC=25C | 375 W | — |
| Température de jonction en fonctionnement | -55C to +175C | — |
| Boîtier | D2PAK (TO-263AB), surface mount | TO-263 (D2PAK), surface mount |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Gate Drive Voltage | 10 V (normal level, optimized) | — |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant (lead-free) |
| Niveau MSL | 1 | — |
| Qualification | JEDEC standard | JEDEC standard |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Series | — | StrongIRFET |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | — | 120 A |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25C | — | 208 W |
| On-Resistance (RDS(on)) max at VGS=10V | — | 2.5 mOhm |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] |
| Gate Drive Voltage (optimized) | — | 10 V (normal level) |
| Operating Frequency Range (optimized) | — | <100 kHz |
| Plage de température de fonctionnement | — | [DATA_NEEDED: junction temperature range] |