IRFS4010TRLPBF vs IRFS7440TRLPBF Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IRFS4010TRLPBF por Infineon e IRFS7440TRLPBF por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IRFS4010TRLPBF IRFS7440TRLPBF
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,86 $0,98
FET Type N-Channel MOSFET N-Channel
Technology IR MOSFET (HEXFET) MOSFET (Metal Oxide Semiconductor)
Drain-to-Source Voltage (VDS) 100 V 40 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 180 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
RDS(on) max @ VGS=10V 4.7 mOhm —
Gate-to-Source Voltage (VGS) max Plus or minus 20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) value] —
Total Gate Charge (Qg) 143 nC 90 nC (typical)
Power Dissipation (PD) at TC=25C 375 W —
Temperatura de junção de operação -55C to +175C —
Encapsulamento D2PAK (TO-263AB), surface mount TO-263 (D2PAK), surface mount
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Gate Drive Voltage 10 V (normal level, optimized) —
Status RoHS Compliant Compliant (lead-free)
Nível MSL 1 —
Qualification JEDEC standard JEDEC standard
Manufacturer — Infineon Technologies
Series — StrongIRFET
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — 120 A
Power Dissipation (PD) at Tc=25C — 208 W
On-Resistance (RDS(on)) max at VGS=10V — 2.5 mOhm
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
Gate Drive Voltage (optimized) — 10 V (normal level)
Operating Frequency Range (optimized) — <100 kHz
Faixa de temperatura de operação — [DATA_NEEDED: junction temperature range]

Fichas técnicas e recursos

Ver todos os produtos Criar BOM Solicitar cotação