IRFS4010TRLPBF vs IRFS7440TRLPBF Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IRFS4010TRLPBF von Infineon und IRFS7440TRLPBF von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter IRFS4010TRLPBF IRFS7440TRLPBF
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,86 $0,98
FET Type N-Channel MOSFET N-Channel
Technology IR MOSFET (HEXFET) MOSFET (Metal Oxide Semiconductor)
Drain-to-Source Voltage (VDS) 100 V 40 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 180 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
RDS(on) max @ VGS=10V 4.7 mOhm —
Gate-to-Source Voltage (VGS) max Plus or minus 20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) value] —
Total Gate Charge (Qg) 143 nC 90 nC (typical)
Power Dissipation (PD) at TC=25C 375 W —
Betriebs-Sperrschichttemperatur -55C to +175C —
Gehäuse D2PAK (TO-263AB), surface mount TO-263 (D2PAK), surface mount
Montageart Surface Mount Surface Mount
Gate Drive Voltage 10 V (normal level, optimized) —
RoHS-Status Compliant Compliant (lead-free)
MSL-Level 1 —
Qualification JEDEC standard JEDEC standard
Manufacturer — Infineon Technologies
Series — StrongIRFET
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — 120 A
Power Dissipation (PD) at Tc=25C — 208 W
On-Resistance (RDS(on)) max at VGS=10V — 2.5 mOhm
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
Gate Drive Voltage (optimized) — 10 V (normal level)
Operating Frequency Range (optimized) — <100 kHz
Betriebstemperaturbereich — [DATA_NEEDED: junction temperature range]

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