IRLML2803TRPBF vs IRLML2030TRPBF Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IRLML2803TRPBF par Infineon et IRLML2030TRPBF par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | IRLML2803TRPBF | IRLML2030TRPBF |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,13 | $0,14 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Number | IRLML2803TRPBF | IRLML2030TRPBF |
| Type de transistor | N-Channel MOSFET | — |
| Technology | IR MOSFET Generation V | HEXFET (IR MOSFET) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 30 V | 30 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | 1.2 A | — |
| On-Resistance RDS(on) at VGS=4.5V | 250 mOhm maximum | — |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: typical VGS(th)] | — |
| Gate Charge (Qg) | 3.3 nC typical | — |
| Power Dissipation (PD) at TA=25C | 540 mW | — |
| Boîtier | Micro3 / SOT-23 (3-pin) | Micro3 (SOT-23) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Plage de température de fonctionnement | -55C to +150C (TJ) | — |
| Gate Drive Level | Logic-level (driven from 3.3V / 5V) | — |
| Niveau MSL | 1 | MSL 1 |
| RoHS Compliance | Compliant, Halogen-Free | Yes (lead-free, halogen-free) |
| FET Type | — | N-Channel |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | — | 2.7 A |
| Power Dissipation (PD) at Ta | — | 1.3 W |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | — | 100 mOhm |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=4.5V | — | 154 mOhm |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | +/-20 V |
| Gate Charge (Qg) typ | — | 1.0 nC |
| Température de fonctionnement | — | -55C to +150C (junction) |
| Qualification | — | JEDEC standard |
| Soldering | — | Wave-solder compatible |