IRLML2803TRPBF vs IRLML2030TRPBF 비교
다음의 상세 나란히 비교: IRLML2803TRPBF 제조: Infineon 및 IRLML2030TRPBF 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | IRLML2803TRPBF | IRLML2030TRPBF |
|---|---|---|
| 브랜드 | Infineon | Infineon |
| 카테고리 | MOSFETs | MOSFETs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $0.13 | $0.14 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Number | IRLML2803TRPBF | IRLML2030TRPBF |
| 트랜지스터 유형 | N-Channel MOSFET | — |
| Technology | IR MOSFET Generation V | HEXFET (IR MOSFET) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 30 V | 30 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | 1.2 A | — |
| On-Resistance RDS(on) at VGS=4.5V | 250 mOhm maximum | — |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: typical VGS(th)] | — |
| Gate Charge (Qg) | 3.3 nC typical | — |
| Power Dissipation (PD) at TA=25C | 540 mW | — |
| 패키지 | Micro3 / SOT-23 (3-pin) | Micro3 (SOT-23) |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| 동작 온도 범위 | -55C to +150C (TJ) | — |
| Gate Drive Level | Logic-level (driven from 3.3V / 5V) | — |
| MSL 레벨 | 1 | MSL 1 |
| RoHS Compliance | Compliant, Halogen-Free | Yes (lead-free, halogen-free) |
| FET Type | — | N-Channel |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | — | 2.7 A |
| Power Dissipation (PD) at Ta | — | 1.3 W |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | — | 100 mOhm |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=4.5V | — | 154 mOhm |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | +/-20 V |
| Gate Charge (Qg) typ | — | 1.0 nC |
| 동작 온도 | — | -55C to +150C (junction) |
| Qualification | — | JEDEC standard |
| Soldering | — | Wave-solder compatible |