IRLML6246TRPBF vs IRLML2803TRPBF Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IRLML6246TRPBF par Infineon et IRLML2803TRPBF par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | IRLML6246TRPBF | IRLML2803TRPBF |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,11 | $0,13 |
| Manufacturer | Infineon Technologies (formerly International Rectifier) | Infineon Technologies |
| Part Number | IRLML6246TRPBF | IRLML2803TRPBF |
| Technology | IR MOSFET (HEXFET Power MOSFET) | IR MOSFET Generation V |
| FET Type | N-Channel | — |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 20 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C | 4.1 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: IDM pulsed value] | — |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=4.5V | 46 mOhm | — |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=2.5V | [DATA_NEEDED: RDS(on) at 2.5V] | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | 1.1 V (logic-level) | — |
| Gate Charge Qg typ | [DATA_NEEDED: Qg total gate charge] | — |
| Power Dissipation (Ta=25C) | 1.3 W | — |
| Plage de température de fonctionnement | -55C to +150C (junction) | -55C to +150C (TJ) |
| Boîtier | SOT-23 (Micro3) | Micro3 / SOT-23 (3-pin) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| RoHS Compliance | Yes (Pb-free) | Compliant, Halogen-Free |
| Sans halogène | Yes | — |
| Niveau MSL | MSL1 (per JEDEC J-STD-020) | 1 |
| Type de transistor | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 30 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | — | 1.2 A |
| On-Resistance RDS(on) at VGS=4.5V | — | 250 mOhm maximum |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: typical VGS(th)] |
| Gate Charge (Qg) | — | 3.3 nC typical |
| Power Dissipation (PD) at TA=25C | — | 540 mW |
| Gate Drive Level | — | Logic-level (driven from 3.3V / 5V) |