IRLML6246TRPBF vs IRLML2803TRPBF Comparação
Comparação detalhada lado a lado de IRLML6246TRPBF por Infineon e IRLML2803TRPBF por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Comparação de especificações
| Parâmetro | IRLML6246TRPBF | IRLML2803TRPBF |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | Infineon |
| Categoria | MOSFETs | MOSFETs |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $0,11 | $0,13 |
| Manufacturer | Infineon Technologies (formerly International Rectifier) | Infineon Technologies |
| Part Number | IRLML6246TRPBF | IRLML2803TRPBF |
| Technology | IR MOSFET (HEXFET Power MOSFET) | IR MOSFET Generation V |
| FET Type | N-Channel | — |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 20 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C | 4.1 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: IDM pulsed value] | — |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=4.5V | 46 mOhm | — |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=2.5V | [DATA_NEEDED: RDS(on) at 2.5V] | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | 1.1 V (logic-level) | — |
| Gate Charge Qg typ | [DATA_NEEDED: Qg total gate charge] | — |
| Power Dissipation (Ta=25C) | 1.3 W | — |
| Faixa de temperatura de operação | -55C to +150C (junction) | -55C to +150C (TJ) |
| Encapsulamento | SOT-23 (Micro3) | Micro3 / SOT-23 (3-pin) |
| Tipo de montagem | Surface Mount | Surface Mount |
| RoHS Compliance | Yes (Pb-free) | Compliant, Halogen-Free |
| Livre de halogênio | Yes | — |
| Nível MSL | MSL1 (per JEDEC J-STD-020) | 1 |
| Tipo de transistor | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 30 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | — | 1.2 A |
| On-Resistance RDS(on) at VGS=4.5V | — | 250 mOhm maximum |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: typical VGS(th)] |
| Gate Charge (Qg) | — | 3.3 nC typical |
| Power Dissipation (PD) at TA=25C | — | 540 mW |
| Gate Drive Level | — | Logic-level (driven from 3.3V / 5V) |