IRLML6246TRPBF vs IRLML2803TRPBF Сравнение

Подробное сравнение бок о бок IRLML6246TRPBF от Infineon и IRLML2803TRPBF от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Infineon
IRLML6246TRPBF IRLML6246TRPBF - 20V N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRLML6246TRPBF - 20V N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRLML6246TRPBF ✓ Активен
Infineon
IRLML2803TRPBF IRLML2803TRPBF - 30V N-Ch MOSFET, 1.2A, SOT-23 | Infineon

IRLML2803TRPBF - 30V N-Ch MOSFET, 1.2A, SOT-23 | Infineon

IRLML2803TRPBF ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр IRLML6246TRPBF IRLML2803TRPBF
Бренд Infineon Infineon
Категория MOSFETs MOSFETs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $0,11 $0,13
Manufacturer Infineon Technologies (formerly International Rectifier) Infineon Technologies
Part Number IRLML6246TRPBF IRLML2803TRPBF
Technology IR MOSFET (HEXFET Power MOSFET) IR MOSFET Generation V
FET Type N-Channel —
Drain-to-Source Voltage (VDS) 20 V —
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C 4.1 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: IDM pulsed value] —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=4.5V 46 mOhm —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=2.5V [DATA_NEEDED: RDS(on) at 2.5V] —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ 1.1 V (logic-level) —
Gate Charge Qg typ [DATA_NEEDED: Qg total gate charge] —
Power Dissipation (Ta=25C) 1.3 W —
Диапазон рабочих температур -55C to +150C (junction) -55C to +150C (TJ)
Корпус SOT-23 (Micro3) Micro3 / SOT-23 (3-pin)
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
RoHS Compliance Yes (Pb-free) Compliant, Halogen-Free
Без галогенов Yes —
Уровень MSL MSL1 (per JEDEC J-STD-020) 1
Тип транзистора — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 30 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — 1.2 A
On-Resistance RDS(on) at VGS=4.5V — 250 mOhm maximum
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: typical VGS(th)]
Gate Charge (Qg) — 3.3 nC typical
Power Dissipation (PD) at TA=25C — 540 mW
Gate Drive Level — Logic-level (driven from 3.3V / 5V)

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену