IRLR3105TRPBF vs IRLR024NTRPBF Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IRLR3105TRPBF par Infineon et IRLR024NTRPBF par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | IRLR3105TRPBF | IRLR024NTRPBF |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,36 | $0,46 |
| FET Type | N-Channel | N-Channel MOSFET, Metal Oxide |
| Technology | HEXFET (IR MOSFET) | HEXFET (Advanced Process Technology) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 55 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 25 A | — |
| Rds(on) max @ VGS=10V | 37 mOhm | — |
| Rds(on) max @ VGS=5V | [DATA_NEEDED: Rds(on) at 5V] | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 13.3 nC | 10 nC (typical) |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | ±16 V | — |
| Input Capacitance (Ciss) | 710 pF @ 25 V | — |
| Power Dissipation (Pd) at Tc | 57 W | — |
| Plage de température de fonctionnement | [DATA_NEEDED: TJ min/max] | -55 C to +175 C |
| Boîtier | TO-252AA (DPAK, 2 leads + tab) | TO-252AA (DPAK) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Gate Drive Type | Logic-Level | — |
| Statut RoHS | Compliant | — |
| Packaging | Tape & Reel (TRPBF) | — |
| Supplier Device Package | TO-252AA (DPAK) | — |
| Drain-to-Source Voltage (Vdss) | — | 55 V |
| Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C | — | 17 A |
| Continuous Drain Current (Id) at Tc=100C | — | [DATA_NEEDED: Id at Tc=100C] |
| Rds(on) Max @ Vgs=10V | — | 65 mOhm |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | — | 1.0 V to 2.0 V |
| Power Dissipation (Pd) at Tc=25C | — | 45 W |
| Avalanche Rated | — | Yes (fully avalanche rated) |
| Gate Drive Level | — | Logic-Level |
| Lead-Free / RoHS | — | Lead-Free / RoHS Compliant |
| Niveau MSL | — | 1 (per JEDEC J-STD-020) |