IRLR3105TRPBF vs IRLR024NTRPBF Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IRLR3105TRPBF por Infineon e IRLR024NTRPBF por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IRLR3105TRPBF IRLR024NTRPBF
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,36 $0,46
FET Type N-Channel N-Channel MOSFET, Metal Oxide
Technology HEXFET (IR MOSFET) HEXFET (Advanced Process Technology)
Drain-Source Voltage (VDS) 55 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 25 A —
Rds(on) max @ VGS=10V 37 mOhm —
Rds(on) max @ VGS=5V [DATA_NEEDED: Rds(on) at 5V] —
Total Gate Charge (Qg) 13.3 nC 10 nC (typical)
Gate-Source Voltage (VGS) max ±16 V —
Input Capacitance (Ciss) 710 pF @ 25 V —
Power Dissipation (Pd) at Tc 57 W —
Faixa de temperatura de operação [DATA_NEEDED: TJ min/max] -55 C to +175 C
Encapsulamento TO-252AA (DPAK, 2 leads + tab) TO-252AA (DPAK)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Gate Drive Type Logic-Level —
Status RoHS Compliant —
Packaging Tape & Reel (TRPBF) —
Supplier Device Package TO-252AA (DPAK) —
Drain-to-Source Voltage (Vdss) — 55 V
Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C — 17 A
Continuous Drain Current (Id) at Tc=100C — [DATA_NEEDED: Id at Tc=100C]
Rds(on) Max @ Vgs=10V — 65 mOhm
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) — 1.0 V to 2.0 V
Power Dissipation (Pd) at Tc=25C — 45 W
Avalanche Rated — Yes (fully avalanche rated)
Gate Drive Level — Logic-Level
Lead-Free / RoHS — Lead-Free / RoHS Compliant
Nível MSL — 1 (per JEDEC J-STD-020)

Fichas técnicas e recursos

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