IRLR3105TRPBF vs IRLR024NTRPBF 比較

詳細な並列比較: IRLR3105TRPBF メーカー: Infineon および IRLR024NTRPBF メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

Infineon
IRLR3105TRPBF IRLR3105TRPBF - 55V N-Channel HEXFET MOSFET, 25A, TO-252

IRLR3105TRPBF - 55V N-Channel HEXFET MOSFET, 25A, TO-252

IRLR3105TRPBF ✓ 生産中
Infineon
IRLR024NTRPBF IRLR024NTRPBF - 55V 17A N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRLR024NTRPBF - 55V 17A N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRLR024NTRPBF ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ IRLR3105TRPBF IRLR024NTRPBF
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.36 $0.46
FET Type N-Channel N-Channel MOSFET, Metal Oxide
Technology HEXFET (IR MOSFET) HEXFET (Advanced Process Technology)
Drain-Source Voltage (VDS) 55 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 25 A —
Rds(on) max @ VGS=10V 37 mOhm —
Rds(on) max @ VGS=5V [DATA_NEEDED: Rds(on) at 5V] —
Total Gate Charge (Qg) 13.3 nC 10 nC (typical)
Gate-Source Voltage (VGS) max ±16 V —
Input Capacitance (Ciss) 710 pF @ 25 V —
Power Dissipation (Pd) at Tc 57 W —
動作温度範囲 [DATA_NEEDED: TJ min/max] -55 C to +175 C
パッケージ TO-252AA (DPAK, 2 leads + tab) TO-252AA (DPAK)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
Gate Drive Type Logic-Level —
RoHS ステータス Compliant —
Packaging Tape & Reel (TRPBF) —
Supplier Device Package TO-252AA (DPAK) —
Drain-to-Source Voltage (Vdss) — 55 V
Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C — 17 A
Continuous Drain Current (Id) at Tc=100C — [DATA_NEEDED: Id at Tc=100C]
Rds(on) Max @ Vgs=10V — 65 mOhm
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) — 1.0 V to 2.0 V
Power Dissipation (Pd) at Tc=25C — 45 W
Avalanche Rated — Yes (fully avalanche rated)
Gate Drive Level — Logic-Level
Lead-Free / RoHS — Lead-Free / RoHS Compliant
MSLレベル — 1 (per JEDEC J-STD-020)

データシート&リソース

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