IRLS3034TRLPBF vs IRFZ44NSTRLPBF Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IRLS3034TRLPBF par Infineon et IRFZ44NSTRLPBF par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | IRLS3034TRLPBF | IRFZ44NSTRLPBF |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $1,55 | $0,93 |
| FET Type | N-Channel MOSFET, Metal Oxide | — |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 40 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | 195 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | 343 A | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| RDS(on) Max at VGS=10V, ID=195A | 1.7 mΩ | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 2.5 V (typical) | [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] |
| Total Gate Charge (Qg) | 108 nC | 42 nC |
| Power Dissipation (PD) at TC=25°C | 375 W | — |
| Plage de température de fonctionnement | -40°C to +175°C (TJ) | -55C to +175C |
| Boîtier | D2PAK (TO-263), Surface Mount | D2PAK (TO-263) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | IR HEXFET (planar N-channel) | HEXFET |
| Lead-Free | Yes (PBF suffix) | — |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Niveau MSL | 1 (per JEDEC J-STD-020) | — |
| Shipping Format | Tape and Reel, 7-inch (TRL) | — |
| Polarity | — | N-Channel |
| MOSFET Operating Mode | — | Enhancement |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 55 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | — | 49 A |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | ±20 V |
| Drain-Source On-Resistance RDS(on) max | — | 17.5 mOhm at VGS=10V |
| Power Dissipation (TC) | — | 94 W |
| Power Dissipation (TA) | — | 3.8 W |
| Lead-Free (PBF suffix) | — | Yes |