IRLS3036TRLPBF vs IRF4905LPBF Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IRLS3036TRLPBF par Infineon et IRF4905LPBF par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IRLS3036TRLPBF IRF4905LPBF
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $1,39 $0,98
Polarity N-Channel P-Channel
Technology IR HEXFET (planar DMOS) HEXFET (IR MOSFET)
Drain-Source Voltage (Vdss) 60 V —
Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C 270 A —
Continuous Drain Current (Id) at Tc=100C 195 A —
Pulsed Drain Current (Idm) 1100 A [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Rds(on) max @ Vgs=10V 1.9 mOhm —
Gate-Source Threshold Voltage (Vgs(th)) Logic level (see datasheet for exact value) [DATA_NEEDED: Vgs(th) typical/min/max] —
Total Gate Charge (Qg) typ 91 nC —
Gate-Source Voltage (Vgs) max [DATA_NEEDED: Vgs max +/- V] ±20 V
Power Dissipation (Pd) at Tc=25C 380 W —
Plage de température de fonctionnement -55C to +175C —
Boîtier D2PAK (TO-263), surface mount TO-262 (I2PAK), through-hole, 3-pin
Type de montage Surface Mount Through Hole
Niveau MSL 1 —
Statut RoHS Compliant (PBF suffix) —
Lead-Free Yes (PBF suffix) —
Integrated Body Diode Yes (avalanche rated) —
Drain-Source Voltage (Vds) — -55 V
Continuous Drain Current (Id) @ Tc=25C — -74 A
On-Resistance Rds(on) max @ Vgs=-10V — 20 mOhm
Gate Threshold Voltage Vgs(th) typ — [DATA_NEEDED: Vgs(th) typical]
Total Power Dissipation (Ptot) @ Tc=25C — 200 W
Température de jonction en fonctionnement — -55C to +150C
Thermal Resistance Junction-to-Case (RthJC) — [DATA_NEEDED: RthJC value]
Rise Time (tr) typ — [DATA_NEEDED: rise time]
Fall Time (tf) typ — [DATA_NEEDED: fall time]
Lead-Free / RoHS — Yes (PbF suffix)
Avalanche Rated — Yes

Fiches techniques et ressources

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