IRLS3036TRLPBF vs IRF4905LPBF השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של IRLS3036TRLPBF מאת Infineon ו IRF4905LPBF מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
השוואת מפרטים
| פרמטר | IRLS3036TRLPBF | IRF4905LPBF |
|---|---|---|
| מותג | Infineon | Infineon |
| קטגוריה | MOSFETs | MOSFETs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| Polarity | N-Channel | P-Channel |
| Technology | IR HEXFET (planar DMOS) | HEXFET (IR MOSFET) |
| Drain-Source Voltage (Vdss) | 60 V | — |
| Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C | 270 A | — |
| Continuous Drain Current (Id) at Tc=100C | 195 A | — |
| Pulsed Drain Current (Idm) | 1100 A | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| Rds(on) max @ Vgs=10V | 1.9 mOhm | — |
| Gate-Source Threshold Voltage (Vgs(th)) | Logic level (see datasheet for exact value) [DATA_NEEDED: Vgs(th) typical/min/max] | — |
| Total Gate Charge (Qg) typ | 91 nC | — |
| Gate-Source Voltage (Vgs) max | [DATA_NEEDED: Vgs max +/- V] | ±20 V |
| Power Dissipation (Pd) at Tc=25C | 380 W | — |
| טווח טמפרטורת פעולה | -55C to +175C | — |
| מארז | D2PAK (TO-263), surface mount | TO-262 (I2PAK), through-hole, 3-pin |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Through Hole |
| רמת MSL | 1 | — |
| סטטוס RoHS | Compliant (PBF suffix) | — |
| Lead-Free | Yes (PBF suffix) | — |
| Integrated Body Diode | Yes (avalanche rated) | — |
| Drain-Source Voltage (Vds) | — | -55 V |
| Continuous Drain Current (Id) @ Tc=25C | — | -74 A |
| On-Resistance Rds(on) max @ Vgs=-10V | — | 20 mOhm |
| Gate Threshold Voltage Vgs(th) typ | — | [DATA_NEEDED: Vgs(th) typical] |
| Total Power Dissipation (Ptot) @ Tc=25C | — | 200 W |
| טמפרטורת צומת פעולה | — | -55C to +150C |
| Thermal Resistance Junction-to-Case (RthJC) | — | [DATA_NEEDED: RthJC value] |
| Rise Time (tr) typ | — | [DATA_NEEDED: rise time] |
| Fall Time (tf) typ | — | [DATA_NEEDED: fall time] |
| Lead-Free / RoHS | — | Yes (PbF suffix) |
| Avalanche Rated | — | Yes |