ISC030N12NM6ATMA1 vs ISC028N03LF2SATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de ISC030N12NM6ATMA1 par Infineon et ISC028N03LF2SATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre ISC030N12NM6ATMA1 ISC028N03LF2SATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $1,62 $0,86
Type de transistor N-Channel MOSFET —
Technology OptiMOS 6 (trench) —
Drain-Source Voltage (VDS max) 120 V —
Continuous Drain Current (ID, Tc=25 C) 194 A —
Continuous Drain Current (ID, Ta) 21 A —
On-Resistance RDS(on) max 3.4 mOhm @ VGS=10 V —
On-Resistance RDS(on) typical 3.0 mOhm @ VGS=10 V —
Dissipation de puissance (TC=25°C) 250 W —
Power Dissipation (Ta) 3 W —
Boîtier PG-TSON-8-3 (SuperSO8 5x6 mm) PG-TDSON-8-62 (5x6 mm) with exposed pad
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Température de fonctionnement -55 C to +175 C (junction) —
Gate Drive Voltage (recommended) 10 V (full RDS(on)) —
Configuration Single N-channel, source-down —
Packaging (suffix) Tape & Reel (ATMA1) —
RoHS Compliant —
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — OptiMOS 5 30V
Polarity / Channel Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) max — 30 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — 24 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 128 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 2.8 mOhm
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — 2.35 V
Power Dissipation at TA — 3 W
Power Dissipation at TC — 83 W
Température de jonction en fonctionnement — -55 C to +175 C
RoHS / Lead-Free — Yes (RoHS compliant)
Niveau MSL — 1 (per JEDEC J-STD-020)

Fiches techniques et ressources

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