ISC030N12NM6ATMA1 vs ISC028N03LF2SATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von ISC030N12NM6ATMA1 von Infineon und ISC028N03LF2SATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter ISC030N12NM6ATMA1 ISC028N03LF2SATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $1,62 $0,86
Transistortyp N-Channel MOSFET —
Technology OptiMOS 6 (trench) —
Drain-Source Voltage (VDS max) 120 V —
Continuous Drain Current (ID, Tc=25 C) 194 A —
Continuous Drain Current (ID, Ta) 21 A —
On-Resistance RDS(on) max 3.4 mOhm @ VGS=10 V —
On-Resistance RDS(on) typical 3.0 mOhm @ VGS=10 V —
Verlustleistung (TC=25°C) 250 W —
Power Dissipation (Ta) 3 W —
Gehäuse PG-TSON-8-3 (SuperSO8 5x6 mm) PG-TDSON-8-62 (5x6 mm) with exposed pad
Montageart Surface Mount Surface Mount
Betriebstemperatur -55 C to +175 C (junction) —
Gate Drive Voltage (recommended) 10 V (full RDS(on)) —
Configuration Single N-channel, source-down —
Packaging (suffix) Tape & Reel (ATMA1) —
RoHS Compliant —
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — OptiMOS 5 30V
Polarity / Channel Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) max — 30 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — 24 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 128 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 2.8 mOhm
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — 2.35 V
Power Dissipation at TA — 3 W
Power Dissipation at TC — 83 W
Betriebs-Sperrschichttemperatur — -55 C to +175 C
RoHS / Lead-Free — Yes (RoHS compliant)
MSL-Level — 1 (per JEDEC J-STD-020)

Datenblätter & Ressourcen

Alle Produkte durchsuchen BOM erstellen Angebot anfordern