ISC030N12NM6ATMA1 vs ISC028N03LF2SATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de ISC030N12NM6ATMA1 por Infineon e ISC028N03LF2SATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro ISC030N12NM6ATMA1 ISC028N03LF2SATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $1,62 $0,86
Tipo de transistor N-Channel MOSFET —
Technology OptiMOS 6 (trench) —
Drain-Source Voltage (VDS max) 120 V —
Continuous Drain Current (ID, Tc=25 C) 194 A —
Continuous Drain Current (ID, Ta) 21 A —
On-Resistance RDS(on) max 3.4 mOhm @ VGS=10 V —
On-Resistance RDS(on) typical 3.0 mOhm @ VGS=10 V —
Dissipação de potência (TC=25°C) 250 W —
Power Dissipation (Ta) 3 W —
Encapsulamento PG-TSON-8-3 (SuperSO8 5x6 mm) PG-TDSON-8-62 (5x6 mm) with exposed pad
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Temperatura de operação -55 C to +175 C (junction) —
Gate Drive Voltage (recommended) 10 V (full RDS(on)) —
Configuration Single N-channel, source-down —
Packaging (suffix) Tape & Reel (ATMA1) —
RoHS Compliant —
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — OptiMOS 5 30V
Polarity / Channel Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) max — 30 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — 24 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 128 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 2.8 mOhm
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — 2.35 V
Power Dissipation at TA — 3 W
Power Dissipation at TC — 83 W
Temperatura de junção de operação — -55 C to +175 C
RoHS / Lead-Free — Yes (RoHS compliant)
Nível MSL — 1 (per JEDEC J-STD-020)

Fichas técnicas e recursos

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