ISC0703NLSATMA1 vs ISC015N04NM5ATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de ISC0703NLSATMA1 par Infineon et ISC015N04NM5ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre ISC0703NLSATMA1 ISC015N04NM5ATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,51 $0,98
Polarity / Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V 40 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C 13 A 33 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 57 A 206 A
Power Dissipation (PD) at Ta=25C 3 W —
Power Dissipation (PD) at Tc=25C 44 W —
Technology Trench MOSFET (OptiMOS family) OptiMOS 5 (trench MOSFET)
Boîtier PG-TDSON-8 (5x6 mm) —
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Plage de température de fonctionnement -55C to +150C (junction) -55 C to +175 C (junction, per OptiMOS 5)
Standard Package Quantity 5,000 (reel) —
Niveau MSL [DATA_NEEDED: MSL level] 1 (per Infineon SuperSO8 family)
Statut RoHS Compliant Compliant
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical and min/max] 3.4 V (typ)
On-Resistance (RDS(on)) [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg typical] —
Avalanche Energy (EAS) [DATA_NEEDED: EAS rating] —
Manufacturer — Infineon Technologies
Series — OptiMOS 5 40V Normal Level
FET Type — N-Channel
Gate-Source Voltage (VGS) — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
R_DS(on) max — 1.5 mOhm @ VGS=10 V, ID=50 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed IDM rating]
Power Dissipation (Ta) — 3 W
Power Dissipation (Tc) — 115 W
Boîtier / Format — PG-TDSON-8 FL (SuperSO8 5x6 mm)
Nombre de broches — 8
Drive Level — Normal Level (VGS(th) ~3.4 V)

Fiches techniques et ressources

Parcourir tous les produits Créer un BOM Demander un devis