ISC0703NLSATMA1 vs ISC015N04NM5ATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de ISC0703NLSATMA1 por Infineon e ISC015N04NM5ATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro ISC0703NLSATMA1 ISC015N04NM5ATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,51 $0,98
Polarity / Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V 40 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C 13 A 33 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 57 A 206 A
Power Dissipation (PD) at Ta=25C 3 W —
Power Dissipation (PD) at Tc=25C 44 W —
Technology Trench MOSFET (OptiMOS family) OptiMOS 5 (trench MOSFET)
Encapsulamento PG-TDSON-8 (5x6 mm) —
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Faixa de temperatura de operação -55C to +150C (junction) -55 C to +175 C (junction, per OptiMOS 5)
Standard Package Quantity 5,000 (reel) —
Nível MSL [DATA_NEEDED: MSL level] 1 (per Infineon SuperSO8 family)
Status RoHS Compliant Compliant
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical and min/max] 3.4 V (typ)
On-Resistance (RDS(on)) [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg typical] —
Avalanche Energy (EAS) [DATA_NEEDED: EAS rating] —
Manufacturer — Infineon Technologies
Series — OptiMOS 5 40V Normal Level
FET Type — N-Channel
Gate-Source Voltage (VGS) — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
R_DS(on) max — 1.5 mOhm @ VGS=10 V, ID=50 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed IDM rating]
Power Dissipation (Ta) — 3 W
Power Dissipation (Tc) — 115 W
Encapsulamento / Caixa — PG-TDSON-8 FL (SuperSO8 5x6 mm)
Contagem de pinos — 8
Drive Level — Normal Level (VGS(th) ~3.4 V)

Fichas técnicas e recursos

Ver todos os produtos Criar BOM Solicitar cotação