ISZ173N15NM6ATMA1 vs ISC151N08NM6ATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de ISZ173N15NM6ATMA1 par Infineon et ISC151N08NM6ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | ISZ173N15NM6ATMA1 | ISC151N08NM6ATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $1,18 | $0,78 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Series | OptiMOS 6 150V | — |
| FET Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 150 V | 80 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | 7.9 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 48 A | — |
| Power Dissipation (PD) at Ta | 2.5 W | — |
| Power Dissipation (PD) at Tc | 94 W | — |
| Technology | OptiMOS 6 trench-gate MOSFET | OptiMOS 6 |
| Boîtier | PG-TSDSON-8 FL | PG-TDSON-8 FL |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Operating Mode | Enhancement Mode | — |
| Application | Hard and soft switching, high/low frequency | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Tape & Reel Quantity | 5000 | — |
| Type de transistor | — | N-Channel MOSFET |
| Continuous Drain Current (TA=25°C) | — | 9.2 A |
| Courant de drain continu (TC=25°C) | — | 37 A |
| Power Dissipation (TA) | — | 3 W |
| Power Dissipation (TC) | — | 48 W |
| On-Resistance RDS(on) max | — | 15.1 mΩ |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | — | 3.5 V |
| Nombre de broches | — | 8 |
| Channel Mode | — | Enhancement |
| Température de fonctionnement | — | -55 °C to +175 °C |