ISZ173N15NM6ATMA1 vs ISC151N08NM6ATMA1 Comparação
Comparação detalhada lado a lado de ISZ173N15NM6ATMA1 por Infineon e ISC151N08NM6ATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Comparação de especificações
| Parâmetro | ISZ173N15NM6ATMA1 | ISC151N08NM6ATMA1 |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | Infineon |
| Categoria | MOSFETs | MOSFETs |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $1,18 | $0,78 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Series | OptiMOS 6 150V | — |
| FET Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 150 V | 80 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | 7.9 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 48 A | — |
| Power Dissipation (PD) at Ta | 2.5 W | — |
| Power Dissipation (PD) at Tc | 94 W | — |
| Technology | OptiMOS 6 trench-gate MOSFET | OptiMOS 6 |
| Encapsulamento | PG-TSDSON-8 FL | PG-TDSON-8 FL |
| Tipo de montagem | Surface Mount | Surface Mount |
| Operating Mode | Enhancement Mode | — |
| Application | Hard and soft switching, high/low frequency | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| Status RoHS | Compliant | Compliant |
| Tape & Reel Quantity | 5000 | — |
| Tipo de transistor | — | N-Channel MOSFET |
| Continuous Drain Current (TA=25°C) | — | 9.2 A |
| Corrente de dreno contínua (TC=25°C) | — | 37 A |
| Power Dissipation (TA) | — | 3 W |
| Power Dissipation (TC) | — | 48 W |
| On-Resistance RDS(on) max | — | 15.1 mΩ |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | — | 3.5 V |
| Número de pinos | — | 8 |
| Channel Mode | — | Enhancement |
| Temperatura de operação | — | -55 °C to +175 °C |