ISZ173N15NM6ATMA1 vs ISC151N08NM6ATMA1 比較

詳細な並列比較: ISZ173N15NM6ATMA1 メーカー: Infineon および ISC151N08NM6ATMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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ISZ173N15NM6ATMA1 ISZ173N15NM6ATMA1 - 150V OptiMOS 6 N-MOSFET 48A | Infineon

ISZ173N15NM6ATMA1 - 150V OptiMOS 6 N-MOSFET 48A | Infineon

ISZ173N15NM6ATMA1 ✓ 生産中
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ISC151N08NM6ATMA1 ISC151N08NM6ATMA1 - 80V 37A N-Ch MOSFET | Infineon TDSON-8

ISC151N08NM6ATMA1 - 80V 37A N-Ch MOSFET | Infineon TDSON-8

ISC151N08NM6ATMA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ ISZ173N15NM6ATMA1 ISC151N08NM6ATMA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $1.18 $0.78
Manufacturer Infineon Technologies —
Series OptiMOS 6 150V —
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 150 V 80 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta 7.9 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 48 A —
Power Dissipation (PD) at Ta 2.5 W —
Power Dissipation (PD) at Tc 94 W —
Technology OptiMOS 6 trench-gate MOSFET OptiMOS 6
パッケージ PG-TSDSON-8 FL PG-TDSON-8 FL
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
Operating Mode Enhancement Mode —
Application Hard and soft switching, high/low frequency —
Lead-Free Yes —
RoHS ステータス Compliant Compliant
Tape & Reel Quantity 5000 —
トランジスタタイプ — N-Channel MOSFET
Continuous Drain Current (TA=25°C) — 9.2 A
連続ドレイン電流(TC=25°C) — 37 A
Power Dissipation (TA) — 3 W
Power Dissipation (TC) — 48 W
On-Resistance RDS(on) max — 15.1 mΩ
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — 3.5 V
ピン数 — 8
Channel Mode — Enhancement
動作温度 — -55 °C to +175 °C

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