ITS4200SMENHUMA1 vs BSR315PH6327XTSA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de ITS4200SMENHUMA1 par Infineon et BSR315PH6327XTSA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre ITS4200SMENHUMA1 BSR315PH6327XTSA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie Power MOSFET Drivers MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $1,05 $0,22
Product Type Smart High-Side Power Switch —
Topologie N-Channel MOSFET, High-Side —
Nominal Load Current 0.7 A —
On-State Resistance (Ron) [DATA_NEEDED: Ron typ/max] —
Operating Voltage Range 5 V to 41 V —
Overvoltage Protection (Load Dump) 41 V —
Input Logic Level CMOS-compatible —
Short-Circuit Protection Yes (current limitation) —
Arrêt thermique Yes (with restart) —
Undervoltage Shutdown Yes —
Open-Load Detection Yes (OFF-state diagnostic) —
Status / Diagnostic Output Yes —
Quiescent Current (standby) [DATA_NEEDED: Iq typ] —
Plage de température de fonctionnement -40 C to +125 C (industrial) -55 C to +150 C (TJ)
Boîtier SOT-223-4 (PG-SOT223-4) PG-SC59-3 / SOT-23-3
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Family PROFET™ Industrial —
Channel Count 1 —
Statut RoHS Compliant Compliant
Automotive Qualified No (industrial grade only) Yes (per Infineon product family marking)
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — BSR315PH6327XTSA1
Series — OptiMOS P-Channel
FET Type — P-Channel, Enhancement Mode
Drain-Source Voltage (VDS) — -60 V
Continuous Drain Current (ID) — -620 mA (Ta)
Power Dissipation (PD) — 500 mW (Ta)
On-State Resistance (RDS(on)) — 800 mOhm @ -620 mA, -10 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — ±20 V (max VGS)
Input Capacitance (Ciss) — 176 pF @ 25 V
Total Gate Charge (Qg) — 6 nC @ 10 V
Nombre de broches — 3
Packaging — Tape & Reel (TR)

Fiches techniques et ressources

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