K4A4G085WE-BCRC vs K4A4G085WG-BCWE Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de K4A4G085WE-BCRC par Samsung Electronics et K4A4G085WG-BCWE par Samsung Electronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | K4A4G085WE-BCRC | K4A4G085WG-BCWE |
|---|---|---|
| Marque | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $1,36 | $2,68 |
| Type de mémoire | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM (Volatile) |
| Density | 4 Gbit | — |
| Organisation de la mémoire | 512M x 8 | — |
| Débit de données | 2400 Mbps | 3200 Mbps/pin |
| Clock Cycle Time (tCK) | 0.833 ns | — |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | 1.2 V |
| I/O Voltage (VDDQ) | 1.2 V | — |
| Core Voltage (VPP) | 2.5 V | — |
| Boîtier | FBGA-78 | FBGA-78 (BCW) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Process Node Family | Samsung E-die | — |
| Interface | Parallel | Parallel (DDR4) |
| Bank Groups | 4n prefetch DDR4 architecture | — |
| Température de fonctionnement | [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range] | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Refresh | 8n / 1X refresh (per JEDEC DDR4) | [DATA_NEEDED: refresh rate specification] |
| Niveau MSL | [DATA_NEEDED: Moisture Sensitivity Level] | — |
| Statut RoHS | Compliant (per LCSC listing) | Compliant |
| Taille de mémoire | — | 4 Gb |
| Memory Organization | — | 512M x 8 |
| Speed Class | — | DDR4-3200 |
| Technology | — | D-die DDR4 |
| Burst Length | — | BL8 |
| DLL Mode | — | DLL Enabled (per datasheet timing) |
| Packaging | — | Tray |