K4A4G085WE-BCRC vs K4A4G085WG-BCWE Сравнение
Подробное сравнение бок о бок K4A4G085WE-BCRC от Samsung Electronics и K4A4G085WG-BCWE от Samsung Electronics. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Сравнение характеристик
| Параметр | K4A4G085WE-BCRC | K4A4G085WG-BCWE |
|---|---|---|
| Бренд | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Категория | Memory ICs | Memory ICs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $1,36 | $2,68 |
| Тип памяти | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM (Volatile) |
| Density | 4 Gbit | — |
| Организация памяти | 512M x 8 | — |
| Скорость передачи данных | 2400 Mbps | 3200 Mbps/pin |
| Clock Cycle Time (tCK) | 0.833 ns | — |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | 1.2 V |
| I/O Voltage (VDDQ) | 1.2 V | — |
| Core Voltage (VPP) | 2.5 V | — |
| Корпус | FBGA-78 | FBGA-78 (BCW) |
| Тип монтажа | Surface Mount | Surface Mount |
| Process Node Family | Samsung E-die | — |
| Интерфейс | Parallel | Parallel (DDR4) |
| Bank Groups | 4n prefetch DDR4 architecture | — |
| Рабочая температура | [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range] | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Refresh | 8n / 1X refresh (per JEDEC DDR4) | [DATA_NEEDED: refresh rate specification] |
| Уровень MSL | [DATA_NEEDED: Moisture Sensitivity Level] | — |
| Статус RoHS | Compliant (per LCSC listing) | Compliant |
| Размер памяти | — | 4 Gb |
| Memory Organization | — | 512M x 8 |
| Speed Class | — | DDR4-3200 |
| Technology | — | D-die DDR4 |
| Burst Length | — | BL8 |
| DLL Mode | — | DLL Enabled (per datasheet timing) |
| Packaging | — | Tray |