K4A4G085WE-BCRC vs K4A4G085WG-BCWE 비교
다음의 상세 나란히 비교: K4A4G085WE-BCRC 제조: Samsung Electronics 및 K4A4G085WG-BCWE 제조: Samsung Electronics. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | K4A4G085WE-BCRC | K4A4G085WG-BCWE |
|---|---|---|
| 브랜드 | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| 카테고리 | Memory ICs | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $1.36 | $2.68 |
| 메모리 유형 | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM (Volatile) |
| Density | 4 Gbit | — |
| 메모리 구성 | 512M x 8 | — |
| 데이터 속도 | 2400 Mbps | 3200 Mbps/pin |
| Clock Cycle Time (tCK) | 0.833 ns | — |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | 1.2 V |
| I/O Voltage (VDDQ) | 1.2 V | — |
| Core Voltage (VPP) | 2.5 V | — |
| 패키지 | FBGA-78 | FBGA-78 (BCW) |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| Process Node Family | Samsung E-die | — |
| 인터페이스 | Parallel | Parallel (DDR4) |
| Bank Groups | 4n prefetch DDR4 architecture | — |
| 동작 온도 | [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range] | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Refresh | 8n / 1X refresh (per JEDEC DDR4) | [DATA_NEEDED: refresh rate specification] |
| MSL 레벨 | [DATA_NEEDED: Moisture Sensitivity Level] | — |
| RoHS 상태 | Compliant (per LCSC listing) | Compliant |
| 메모리 크기 | — | 4 Gb |
| Memory Organization | — | 512M x 8 |
| Speed Class | — | DDR4-3200 |
| Technology | — | D-die DDR4 |
| Burst Length | — | BL8 |
| DLL Mode | — | DLL Enabled (per datasheet timing) |
| Packaging | — | Tray |