K4A4G085WE-BCRC vs K4A4G085WG-BCWE 比較

詳細な並列比較: K4A4G085WE-BCRC メーカー: Samsung Electronics および K4A4G085WG-BCWE メーカー: Samsung Electronics。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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K4A4G085WE-BCRC K4A4G085WE-BCRC - 4Gb DDR4-2400 x8 SDRAM | Samsung

K4A4G085WE-BCRC - 4Gb DDR4-2400 x8 SDRAM | Samsung

K4A4G085WE-BCRC ✓ 生産中
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K4A4G085WG-BCWE K4A4G085WG-BCWE - 4Gb DDR4 3200Mbps SDRAM | Samsung

K4A4G085WG-BCWE - 4Gb DDR4 3200Mbps SDRAM | Samsung

K4A4G085WG-BCWE ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ K4A4G085WE-BCRC K4A4G085WG-BCWE
ブランド Samsung Electronics Samsung Electronics
カテゴリ Memory ICs Memory ICs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $1.36 $2.68
メモリタイプ DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM (Volatile)
Density 4 Gbit —
メモリ構成 512M x 8 —
データレート 2400 Mbps 3200 Mbps/pin
Clock Cycle Time (tCK) 0.833 ns —
Supply Voltage (VDD) 1.2 V 1.2 V
I/O Voltage (VDDQ) 1.2 V —
Core Voltage (VPP) 2.5 V —
パッケージ FBGA-78 FBGA-78 (BCW)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
Process Node Family Samsung E-die —
インターフェース Parallel Parallel (DDR4)
Bank Groups 4n prefetch DDR4 architecture —
動作温度 [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range] [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Refresh 8n / 1X refresh (per JEDEC DDR4) [DATA_NEEDED: refresh rate specification]
MSLレベル [DATA_NEEDED: Moisture Sensitivity Level] —
RoHS ステータス Compliant (per LCSC listing) Compliant
メモリサイズ — 4 Gb
Memory Organization — 512M x 8
Speed Class — DDR4-3200
Technology — D-die DDR4
Burst Length — BL8
DLL Mode — DLL Enabled (per datasheet timing)
Packaging — Tray

データシート&リソース

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