K4A4G085WE-BCRC vs K4A4G085WG-BCWE Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von K4A4G085WE-BCRC von Samsung Electronics und K4A4G085WG-BCWE von Samsung Electronics. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
Spezifikationsvergleich
| Parameter | K4A4G085WE-BCRC | K4A4G085WG-BCWE |
|---|---|---|
| Marke | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Kategorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Lebenszyklusstatus | Aktiv | Aktiv |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $1,36 | $2,68 |
| Speichertyp | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM (Volatile) |
| Density | 4 Gbit | — |
| Speicherorganisation | 512M x 8 | — |
| Datenrate | 2400 Mbps | 3200 Mbps/pin |
| Clock Cycle Time (tCK) | 0.833 ns | — |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | 1.2 V |
| I/O Voltage (VDDQ) | 1.2 V | — |
| Core Voltage (VPP) | 2.5 V | — |
| Gehäuse | FBGA-78 | FBGA-78 (BCW) |
| Montageart | Surface Mount | Surface Mount |
| Process Node Family | Samsung E-die | — |
| Schnittstelle | Parallel | Parallel (DDR4) |
| Bank Groups | 4n prefetch DDR4 architecture | — |
| Betriebstemperatur | [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range] | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Refresh | 8n / 1X refresh (per JEDEC DDR4) | [DATA_NEEDED: refresh rate specification] |
| MSL-Level | [DATA_NEEDED: Moisture Sensitivity Level] | — |
| RoHS-Status | Compliant (per LCSC listing) | Compliant |
| Speichergröße | — | 4 Gb |
| Memory Organization | — | 512M x 8 |
| Speed Class | — | DDR4-3200 |
| Technology | — | D-die DDR4 |
| Burst Length | — | BL8 |
| DLL Mode | — | DLL Enabled (per datasheet timing) |
| Packaging | — | Tray |