K4A4G085WE-BCRC vs MT40A512M8SA-062E Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de K4A4G085WE-BCRC par Samsung Electronics et MT40A512M8SA-062E par Micron Technology. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | K4A4G085WE-BCRC | MT40A512M8SA-062E |
|---|---|---|
| Marque | Samsung Electronics | Micron Technology |
| Catégorie | Memory ICs | DRAM |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $1,36 | $5,35 |
| Type de mémoire | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 4 Gbit | — |
| Organisation de la mémoire | 512M x 8 | 512M x 8 |
| Débit de données | 2400 Mbps | 3200 MT/s (DDR4-3200 class) |
| Clock Cycle Time (tCK) | 0.833 ns | — |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | — |
| I/O Voltage (VDDQ) | 1.2 V | — |
| Core Voltage (VPP) | 2.5 V | — |
| Boîtier | FBGA-78 | 78-FBGA (7.5 x 11 mm), Z10B |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Process Node Family | Samsung E-die | — |
| Interface | Parallel | Parallel, 1.2 V pseudo open-drain I/O |
| Bank Groups | 4n prefetch DDR4 architecture | — |
| Température de fonctionnement | [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range] | — |
| Refresh | 8n / 1X refresh (per JEDEC DDR4) | — |
| Niveau MSL | [DATA_NEEDED: Moisture Sensitivity Level] | — |
| Statut RoHS | Compliant (per LCSC listing) | — |
| Taille de mémoire | — | 4 Gbit |
| Clock Frequency | — | 1.6 GHz |
| Access Time | — | 13.75 ns |
| Write Cycle Time | — | 15 ns |
| VDD / VDDQ | — | 1.2 V +/-60 mV |
| VPP Supply | — | 2.5 V (-125 mV / +250 mV) |
| VREFDQ | — | On-die internal adjustable generation |
| Operating Temperature (TC max) | — | up to 95 degrees C |
| Package Flow | — | :F (lead-free / RoHS) |
| Style de montage | — | SMD/SMT |