K4A4G085WG-BCWE vs K4A4G085WD Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de K4A4G085WG-BCWE par Samsung Electronics et K4A4G085WD par Samsung Electronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | K4A4G085WG-BCWE | K4A4G085WD |
|---|---|---|
| Marque | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $2,68 | $2,05 |
| Type de mémoire | DDR4 SDRAM (Volatile) | DDR4 SDRAM |
| Taille de mémoire | 4 Gb | — |
| Memory Organization | 512M x 8 | — |
| Débit de données | 3200 Mbps/pin | Up to 2400 Mbps (speed-grade dependent) |
| Speed Class | DDR4-3200 | — |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | 1.2 V |
| Technology | D-die DDR4 | — |
| Boîtier | FBGA-78 (BCW) | 78-ball FBGA |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Interface | Parallel (DDR4) | — |
| Burst Length | BL8 | — |
| DLL Mode | DLL Enabled (per datasheet timing) | — |
| Température de fonctionnement | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Refresh | [DATA_NEEDED: refresh rate specification] | [DATA_NEEDED: refresh interval] |
| Statut RoHS | Compliant | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Packaging | Tray | — |
| Die Generation | — | D-die |
| Density | — | 4 Gb |
| Organisation de la mémoire | — | 512M x 8 |
| Speed Grade (example) | — | -BCPB (DDR4-2400), -BCRC |
| Type d'interface | — | DDR4 (double data rate, source-synchronous) |
| Bank Group Architecture | — | Yes (DDR4 bank groups) |
| ODT | — | On-Die Termination (built-in) |
| CAS Latency (typical) | — | [DATA_NEEDED: CL per speed grade] |
| Lead-Free | — | [DATA_NEEDED: lead-free status] |