K4A4G085WG-BCWE vs K4A4G085WD Сравнение
Подробное сравнение бок о бок K4A4G085WG-BCWE от Samsung Electronics и K4A4G085WD от Samsung Electronics. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Сравнение характеристик
| Параметр | K4A4G085WG-BCWE | K4A4G085WD |
|---|---|---|
| Бренд | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Категория | Memory ICs | Memory ICs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $2,68 | $2,05 |
| Тип памяти | DDR4 SDRAM (Volatile) | DDR4 SDRAM |
| Размер памяти | 4 Gb | — |
| Memory Organization | 512M x 8 | — |
| Скорость передачи данных | 3200 Mbps/pin | Up to 2400 Mbps (speed-grade dependent) |
| Speed Class | DDR4-3200 | — |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | 1.2 V |
| Technology | D-die DDR4 | — |
| Корпус | FBGA-78 (BCW) | 78-ball FBGA |
| Тип монтажа | Surface Mount | Surface Mount |
| Интерфейс | Parallel (DDR4) | — |
| Burst Length | BL8 | — |
| DLL Mode | DLL Enabled (per datasheet timing) | — |
| Рабочая температура | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Refresh | [DATA_NEEDED: refresh rate specification] | [DATA_NEEDED: refresh interval] |
| Статус RoHS | Compliant | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Packaging | Tray | — |
| Die Generation | — | D-die |
| Density | — | 4 Gb |
| Организация памяти | — | 512M x 8 |
| Speed Grade (example) | — | -BCPB (DDR4-2400), -BCRC |
| Тип интерфейса | — | DDR4 (double data rate, source-synchronous) |
| Bank Group Architecture | — | Yes (DDR4 bank groups) |
| ODT | — | On-Die Termination (built-in) |
| CAS Latency (typical) | — | [DATA_NEEDED: CL per speed grade] |
| Lead-Free | — | [DATA_NEEDED: lead-free status] |