K4A8G085WB-BCPB vs H5ANAG8NBJR-PBC Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de K4A8G085WB-BCPB par Samsung Electronics et H5ANAG8NBJR-PBC par SK hynix. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Samsung Electronics
K4A8G085WB-BCPB K4A8G085WB-BCPB - 8Gb DDR4 SDRAM 3200Mbps | Samsung

K4A8G085WB-BCPB - 8Gb DDR4 SDRAM 3200Mbps | Samsung

K4A8G085WB-BCPB ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre K4A8G085WB-BCPB H5ANAG8NBJR-PBC
Marque Samsung Electronics SK hynix
Catégorie Memory ICs DRAM
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $13,78 $31,50
Type de mémoire DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 8 Gbit 16 Gbit (2 GB)
Organisation de la mémoire 1G x 8 x8
Tension d'alimentation 1.2 V (nominal) —
Débit de données 3200 Mbps (PC4-25600) —
Speed Grade BC —
CAS Latency (CL) 22 —
Burst Length 8 —
Bank Architecture 16 banks (4 bank groups) 16 banks in 4 bank groups (DDR4 standard)
Refresh Interval 7.8 us (up to 85C) —
Type d'interface SSTL-12 Parallel, SSTL12
Termination ODT / dynamic ODT —
Self-Refresh Temperature-Compensated Self-Refresh (TCSR) —
Boîtier 78-ball FBGA FBGA-78 (7.5 mm x 11 mm)
Package Dimensions 11 mm x 11 mm —
Type de montage Surface Mount (BGA) Surface Mount
Operating Mode DLL enabled —
Statut RoHS Compliant Compliant (Lead-Free & Halogen-Free per Hynix family datasheet)
Supply Voltage (VDD) — 1.2 V
Speed Grade / Data Rate — PBC suffix, DDR4-2666 class
Prefetch — 8n
Température de fonctionnement — [DATA_NEEDED: operating temperature range]
CAS Latency (typical bin) — [DATA_NEEDED: CAS latency]
Refresh — Self refresh, 1x/2x/4x refresh modes
Die Revision — BJR
Niveau MSL — [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level]
Standard Package Quantity — [DATA_NEEDED: standard quantity]

Fiches techniques et ressources

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