K4A8G085WB-BCPB vs H5ANAG8NBJR-PBC 比較

詳細な並列比較: K4A8G085WB-BCPB メーカー: Samsung Electronics および H5ANAG8NBJR-PBC メーカー: SK hynix。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

Samsung Electronics
K4A8G085WB-BCPB K4A8G085WB-BCPB - 8Gb DDR4 SDRAM 3200Mbps | Samsung

K4A8G085WB-BCPB - 8Gb DDR4 SDRAM 3200Mbps | Samsung

K4A8G085WB-BCPB ✓ 生産中
SK hynix
H5ANAG8NBJR-PBC H5ANAG8NBJR-PBC - 16Gb DDR4 SDRAM x8, FBGA-78 | SK Hynix

H5ANAG8NBJR-PBC - 16Gb DDR4 SDRAM x8, FBGA-78 | SK Hynix

H5ANAG8NBJR-PBC ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ K4A8G085WB-BCPB H5ANAG8NBJR-PBC
ブランド Samsung Electronics SK hynix
カテゴリ Memory ICs DRAM
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $13.78 $31.50
メモリタイプ DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 8 Gbit 16 Gbit (2 GB)
メモリ構成 1G x 8 x8
電源電圧 1.2 V (nominal) —
データレート 3200 Mbps (PC4-25600) —
Speed Grade BC —
CAS Latency (CL) 22 —
Burst Length 8 —
Bank Architecture 16 banks (4 bank groups) 16 banks in 4 bank groups (DDR4 standard)
Refresh Interval 7.8 us (up to 85C) —
インターフェースタイプ SSTL-12 Parallel, SSTL12
Termination ODT / dynamic ODT —
Self-Refresh Temperature-Compensated Self-Refresh (TCSR) —
パッケージ 78-ball FBGA FBGA-78 (7.5 mm x 11 mm)
Package Dimensions 11 mm x 11 mm —
実装タイプ Surface Mount (BGA) Surface Mount
Operating Mode DLL enabled —
RoHS ステータス Compliant Compliant (Lead-Free & Halogen-Free per Hynix family datasheet)
Supply Voltage (VDD) — 1.2 V
Speed Grade / Data Rate — PBC suffix, DDR4-2666 class
Prefetch — 8n
動作温度 — [DATA_NEEDED: operating temperature range]
CAS Latency (typical bin) — [DATA_NEEDED: CAS latency]
Refresh — Self refresh, 1x/2x/4x refresh modes
Die Revision — BJR
MSLレベル — [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level]
Standard Package Quantity — [DATA_NEEDED: standard quantity]

データシート&リソース

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