K4A8G085WB-BCTD vs MT40A1G8SA-062E Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de K4A8G085WB-BCTD par Samsung Electronics et MT40A1G8SA-062E par Micron Technology. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Samsung Electronics
K4A8G085WB-BCTD - 8Gb DDR4 SDRAM 1Gx8 | Samsung | FBGA-78
K4A8G085WB-BCTD ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | K4A8G085WB-BCTD | MT40A1G8SA-062E |
|---|---|---|
| Marque | Samsung Electronics | Micron Technology |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $7,50 | $6,05 |
| Type de mémoire | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Taille de mémoire | 8 Gb (1G x 8) | — |
| Tension d'alimentation | 1.2 V | — |
| Débit de données | 3200 Mbps (PC4-25600) | 3200 MT/s (DDR4-3200) |
| Speed Bin | CL22-22-22 | — |
| Boîtier | FBGA-78 (TFBGA) | 78-ball FBGA (7.5 x 11 mm) |
| Température de fonctionnement | 0°C to +95°C (TC) | 0C to +95C (CT range; IT: -40C to +95C) |
| Burst Length | 8 (BL8) | BL8, BC4 (burst chop) |
| On-Die Termination | Yes (ODT) | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| CRC Function | Yes | — |
| Dynamic On-Chip Termination | Yes | — |
| Data Mask Function | Yes | — |
| JESD-30 Code | R-PBGA-B78 | — |
| Number of Terminals | 78 | — |
| Statut RoHS | Compliant | — |
| Density | — | 8 Gbit |
| Organisation de la mémoire | — | 1G x 8 |
| Clock Frequency | — | 1.6 GHz |
| Access Time (CAS Latency) | — | CL22 at 3200 MT/s |
| Row Access Time | — | 19 ns |
| VDD / VDDQ | — | 1.2 V +/-60 mV |
| VPP | — | 2.5 V, -125 mV, +250 mV |
| Internal Banks | — | 16 banks (4 bank groups x 4 banks) |
| Refresh | — | 8192-cycle; 64 ms (0-85C), 32 ms (85-95C), 16 ms (>95C) |
| I/O Type | — | 1.2 V pseudo open-drain |
| Type de montage | — | Surface Mount |
| Caractéristiques | — | Auto self-refresh, write leveling, dynamic ODT, CRC, auto precharge, ZQ calibration, on-die adjustable VREFDQ |