K4A8G085WB-BCTD vs MT40A1G8SA-062E 비교
다음의 상세 나란히 비교: K4A8G085WB-BCTD 제조: Samsung Electronics 및 MT40A1G8SA-062E 제조: Micron Technology. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | K4A8G085WB-BCTD | MT40A1G8SA-062E |
|---|---|---|
| 브랜드 | Samsung Electronics | Micron Technology |
| 카테고리 | Memory ICs | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $7.50 | $6.05 |
| 메모리 유형 | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| 메모리 크기 | 8 Gb (1G x 8) | — |
| 공급 전압 | 1.2 V | — |
| 데이터 속도 | 3200 Mbps (PC4-25600) | 3200 MT/s (DDR4-3200) |
| Speed Bin | CL22-22-22 | — |
| 패키지 | FBGA-78 (TFBGA) | 78-ball FBGA (7.5 x 11 mm) |
| 동작 온도 | 0°C to +95°C (TC) | 0C to +95C (CT range; IT: -40C to +95C) |
| Burst Length | 8 (BL8) | BL8, BC4 (burst chop) |
| On-Die Termination | Yes (ODT) | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| CRC Function | Yes | — |
| Dynamic On-Chip Termination | Yes | — |
| Data Mask Function | Yes | — |
| JESD-30 Code | R-PBGA-B78 | — |
| Number of Terminals | 78 | — |
| RoHS 상태 | Compliant | — |
| Density | — | 8 Gbit |
| 메모리 구성 | — | 1G x 8 |
| Clock Frequency | — | 1.6 GHz |
| Access Time (CAS Latency) | — | CL22 at 3200 MT/s |
| Row Access Time | — | 19 ns |
| VDD / VDDQ | — | 1.2 V +/-60 mV |
| VPP | — | 2.5 V, -125 mV, +250 mV |
| Internal Banks | — | 16 banks (4 bank groups x 4 banks) |
| Refresh | — | 8192-cycle; 64 ms (0-85C), 32 ms (85-95C), 16 ms (>95C) |
| I/O Type | — | 1.2 V pseudo open-drain |
| 실장 유형 | — | Surface Mount |
| 특징 | — | Auto self-refresh, write leveling, dynamic ODT, CRC, auto precharge, ZQ calibration, on-die adjustable VREFDQ |