K4AAG085WA-BCWE vs H5ANAG8NAMR-UHC Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de K4AAG085WA-BCWE par Samsung Electronics et H5ANAG8NAMR-UHC par SK hynix. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | K4AAG085WA-BCWE | H5ANAG8NAMR-UHC |
|---|---|---|
| Marque | Samsung Electronics | SK hynix |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $7,24 | $2,15 |
| Type de mémoire | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 16 Gbit | 16 Gbit |
| Organisation de la mémoire | 2G x 8 | 2G x 8 |
| Débit de données | 3200 Mbps (DDR4-3200) | DDR4-2400 (2400 MT/s) |
| Tension d'alimentation | 1.2 V | 1.2 V |
| Operating Voltage Range | 1.14 V to 1.26 V | — |
| Température de fonctionnement | 0 C to 85 C | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Boîtier | 78-ball FBGA (9 x 11 mm, 0.8 mm pitch) | FBGA-78 |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Interface | JEDEC DDR4 | Parallel, DDR4 |
| Memory Width | 8-bit | — |
| Refresh | Auto-refresh (per JEDEC DDR4) | Self-refresh and auto-refresh (DDR4) |
| Application Class | Main memory / embedded DRAM | — |
| Statut RoHS | Compliant (per JLCPCB listing) | Compliant (lead-free FBGA package) |
| Manufacturer | Samsung Electronics | SK Hynix |
| Bank Group Architecture | — | DDR4 bank-group architecture |
| On-Die Termination (ODT) | — | Yes |
| Niveau MSL | — | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] |
| Applications | — | Data storage, firmware boot, industrial controllers, computing modules |