K4AAG085WA-BCWE vs H5ANAG8NAMR-UHC 比較
詳細な並列比較: K4AAG085WA-BCWE メーカー: Samsung Electronics および H5ANAG8NAMR-UHC メーカー: SK hynix。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。
仕様比較
| パラメータ | K4AAG085WA-BCWE | H5ANAG8NAMR-UHC |
|---|---|---|
| ブランド | Samsung Electronics | SK hynix |
| カテゴリ | Memory ICs | Memory ICs |
| ライフサイクル状態 | 有効 | 有効 |
| 在庫状況 | In Stock | In Stock |
| 単価（USD） | $7.24 | $2.15 |
| メモリタイプ | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 16 Gbit | 16 Gbit |
| メモリ構成 | 2G x 8 | 2G x 8 |
| データレート | 3200 Mbps (DDR4-3200) | DDR4-2400 (2400 MT/s) |
| 電源電圧 | 1.2 V | 1.2 V |
| Operating Voltage Range | 1.14 V to 1.26 V | — |
| 動作温度 | 0 C to 85 C | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| パッケージ | 78-ball FBGA (9 x 11 mm, 0.8 mm pitch) | FBGA-78 |
| 実装タイプ | Surface Mount | Surface Mount |
| インターフェース | JEDEC DDR4 | Parallel, DDR4 |
| Memory Width | 8-bit | — |
| Refresh | Auto-refresh (per JEDEC DDR4) | Self-refresh and auto-refresh (DDR4) |
| Application Class | Main memory / embedded DRAM | — |
| RoHS ステータス | Compliant (per JLCPCB listing) | Compliant (lead-free FBGA package) |
| Manufacturer | Samsung Electronics | SK Hynix |
| Bank Group Architecture | — | DDR4 bank-group architecture |
| On-Die Termination (ODT) | — | Yes |
| MSLレベル | — | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] |
| Applications | — | Data storage, firmware boot, industrial controllers, computing modules |