K4AAG085WA-BCWE vs H5ANAG8NAMR-UHC Comparación
Comparación detallada lado a lado de K4AAG085WA-BCWE por Samsung Electronics y H5ANAG8NAMR-UHC por SK hynix. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Comparación de especificaciones
| Parámetro | K4AAG085WA-BCWE | H5ANAG8NAMR-UHC |
|---|---|---|
| Marca | Samsung Electronics | SK hynix |
| Categoría | Memory ICs | Memory ICs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $7,24 | $2,15 |
| Tipo de memoria | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 16 Gbit | 16 Gbit |
| Organización de memoria | 2G x 8 | 2G x 8 |
| Velocidad de datos | 3200 Mbps (DDR4-3200) | DDR4-2400 (2400 MT/s) |
| Tensión de alimentación | 1.2 V | 1.2 V |
| Operating Voltage Range | 1.14 V to 1.26 V | — |
| Temperatura de funcionamiento | 0 C to 85 C | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Encapsulado | 78-ball FBGA (9 x 11 mm, 0.8 mm pitch) | FBGA-78 |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Surface Mount |
| Interfaz | JEDEC DDR4 | Parallel, DDR4 |
| Memory Width | 8-bit | — |
| Refresh | Auto-refresh (per JEDEC DDR4) | Self-refresh and auto-refresh (DDR4) |
| Application Class | Main memory / embedded DRAM | — |
| Estado RoHS | Compliant (per JLCPCB listing) | Compliant (lead-free FBGA package) |
| Manufacturer | Samsung Electronics | SK Hynix |
| Bank Group Architecture | — | DDR4 bank-group architecture |
| On-Die Termination (ODT) | — | Yes |
| Nivel MSL | — | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] |
| Applications | — | Data storage, firmware boot, industrial controllers, computing modules |