K4AAG085WM-BCWE vs H5ANAG8NCMR-VKC Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de K4AAG085WM-BCWE par Samsung Electronics et H5ANAG8NCMR-VKC par SK hynix. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | K4AAG085WM-BCWE | H5ANAG8NCMR-VKC |
|---|---|---|
| Marque | Samsung Electronics | SK hynix |
| Catégorie | DRAM | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $7,00 | $8,05 |
| Type de mémoire | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 16 Gb | — |
| Organisation de la mémoire | 2G x 8 | — |
| Débit de données | 3200 Mbps (DDR4-3200) | 2666 Mbps/pin (DDR4-2666) |
| Tension d'alimentation | 1.2 V | — |
| Température de fonctionnement | 0C to +85C | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Boîtier | 78FBGA | FBGA-78 |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Interface | DDR4 (JEDEC-standard) | — |
| Bank Group Architecture | Yes (DDR4) | — |
| Speed Grade Suffix | -BCWE | — |
| Application Class | Memory IC / Storage Component | — |
| Power Reduction vs DDR3 | Approx. 25% lower (per Samsung DDR4 literature) | — |
| Statut RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Niveau MSL | [DATA_NEEDED: MSL level] | — |
| Taille de mémoire | — | 16 Gb |
| Memory Organization | — | 2G x 8 |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V |
| I/O Voltage (VDDQ) | — | 1.2 V |
| Speed Grade | — | VK (per SK hynix speed-bin suffix) |
| Power Class | — | Normal Power |
| Bank Groups | — | 4 |
| Banks Total | — | 16 |
| Latence CAS | — | [DATA_NEEDED: CAS latency for VK speed bin] |
| Packaging | — | [DATA_NEEDED: standard packing quantity] |
| Manufacturer Process | — | CMOS DRAM |