K4AAG085WM-BCWE vs H5ANAG8NCMR-VKC 비교
다음의 상세 나란히 비교: K4AAG085WM-BCWE 제조: Samsung Electronics 및 H5ANAG8NCMR-VKC 제조: SK hynix. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | K4AAG085WM-BCWE | H5ANAG8NCMR-VKC |
|---|---|---|
| 브랜드 | Samsung Electronics | SK hynix |
| 카테고리 | DRAM | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $7.00 | $8.05 |
| 메모리 유형 | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 16 Gb | — |
| 메모리 구성 | 2G x 8 | — |
| 데이터 속도 | 3200 Mbps (DDR4-3200) | 2666 Mbps/pin (DDR4-2666) |
| 공급 전압 | 1.2 V | — |
| 동작 온도 | 0C to +85C | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| 패키지 | 78FBGA | FBGA-78 |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| 인터페이스 | DDR4 (JEDEC-standard) | — |
| Bank Group Architecture | Yes (DDR4) | — |
| Speed Grade Suffix | -BCWE | — |
| Application Class | Memory IC / Storage Component | — |
| Power Reduction vs DDR3 | Approx. 25% lower (per Samsung DDR4 literature) | — |
| RoHS 상태 | [DATA_NEEDED: RoHS status] | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| MSL 레벨 | [DATA_NEEDED: MSL level] | — |
| 메모리 크기 | — | 16 Gb |
| Memory Organization | — | 2G x 8 |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V |
| I/O Voltage (VDDQ) | — | 1.2 V |
| Speed Grade | — | VK (per SK hynix speed-bin suffix) |
| Power Class | — | Normal Power |
| Bank Groups | — | 4 |
| Banks Total | — | 16 |
| CAS 레이턴시 | — | [DATA_NEEDED: CAS latency for VK speed bin] |
| Packaging | — | [DATA_NEEDED: standard packing quantity] |
| Manufacturer Process | — | CMOS DRAM |