K4AAG085WM-BCWE vs H5ANAG8NCMR-VKC Comparación
Comparación detallada lado a lado de K4AAG085WM-BCWE por Samsung Electronics y H5ANAG8NCMR-VKC por SK hynix. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Comparación de especificaciones
| Parámetro | K4AAG085WM-BCWE | H5ANAG8NCMR-VKC |
|---|---|---|
| Marca | Samsung Electronics | SK hynix |
| Categoría | DRAM | Memory ICs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $7,00 | $8,05 |
| Tipo de memoria | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 16 Gb | — |
| Organización de memoria | 2G x 8 | — |
| Velocidad de datos | 3200 Mbps (DDR4-3200) | 2666 Mbps/pin (DDR4-2666) |
| Tensión de alimentación | 1.2 V | — |
| Temperatura de funcionamiento | 0C to +85C | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Encapsulado | 78FBGA | FBGA-78 |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Surface Mount |
| Interfaz | DDR4 (JEDEC-standard) | — |
| Bank Group Architecture | Yes (DDR4) | — |
| Speed Grade Suffix | -BCWE | — |
| Application Class | Memory IC / Storage Component | — |
| Power Reduction vs DDR3 | Approx. 25% lower (per Samsung DDR4 literature) | — |
| Estado RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Nivel MSL | [DATA_NEEDED: MSL level] | — |
| Tamaño de memoria | — | 16 Gb |
| Memory Organization | — | 2G x 8 |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V |
| I/O Voltage (VDDQ) | — | 1.2 V |
| Speed Grade | — | VK (per SK hynix speed-bin suffix) |
| Power Class | — | Normal Power |
| Bank Groups | — | 4 |
| Banks Total | — | 16 |
| Latencia CAS | — | [DATA_NEEDED: CAS latency for VK speed bin] |
| Packaging | — | [DATA_NEEDED: standard packing quantity] |
| Manufacturer Process | — | CMOS DRAM |