K4B4G1646D-BCMA0 vs MT41K256M16HA-125 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de K4B4G1646D-BCMA0 par Samsung Electronics et MT41K256M16HA-125 par Micron Technology. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Samsung Electronics
K4B4G1646D-BCMA0 - 4Gb DDR3 SDRAM 256Mx16 | Samsung
K4B4G1646D-BCMA0 ✗ Fin de vie
Comparaison des spécifications
| Paramètre | K4B4G1646D-BCMA0 | MT41K256M16HA-125 |
|---|---|---|
| Marque | Samsung Electronics | Micron Technology |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Fin de vie | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $5,90 | $6,36 |
| Type de mémoire | DDR3 SDRAM | SDRAM - DDR3L |
| Taille de mémoire | 4 Gb | 4Gbit (256M x 16) |
| Organisation de la mémoire | 256M x 16 | — |
| Débit de données | 1866 Mbps | — |
| Tension d'alimentation | 1.5 V | 1.35 V |
| Température de fonctionnement | 0°C to 85°C | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Boîtier | 96-FBGA | 96-FBGA (9x14 mm) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Memory Interface | Parallel | — |
| RoHS | Compliant | — |
| Sans halogène | Yes | — |
| Lead Free | Yes | — |
| Statut du cycle de vie | EOL | — |
| Technology | DDR3 | — |
| Number of Terminals | 96 | — |
| Largeur du bus de données | — | 16 bit |
| Clock Frequency | — | 800 MHz |
| Access Time | — | 13.75 ns |
| Nombre de broches | — | 96 |
| Statut RoHS | — | Compliant |
| Lead-Free | — | Yes |
| Logic Family | — | CMOS |
| Refresh Interval | — | 7.8 us at 85C |
| Latence CAS | — | 11 |