K4B4G1646D-BCMA0 vs MT41K256M16HA-125 Сравнение

Подробное сравнение бок о бок K4B4G1646D-BCMA0 от Samsung Electronics и MT41K256M16HA-125 от Micron Technology. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Samsung Electronics
K4B4G1646D-BCMA0 K4B4G1646D-BCMA0 - 4Gb DDR3 SDRAM 256Mx16 | Samsung

K4B4G1646D-BCMA0 - 4Gb DDR3 SDRAM 256Mx16 | Samsung

K4B4G1646D-BCMA0 ✗ Снят с производства
Micron Technology
MT41K256M16HA-125 MT41K256M16HA-125 - 4Gbit DDR3L SDRAM 800MHz | Micron

MT41K256M16HA-125 - 4Gbit DDR3L SDRAM 800MHz | Micron

MT41K256M16HA-125 ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр K4B4G1646D-BCMA0 MT41K256M16HA-125
Бренд Samsung Electronics Micron Technology
Категория Memory ICs Memory ICs
Статус жизненного цикла Снято с производства Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $5,90 $6,36
Тип памяти DDR3 SDRAM SDRAM - DDR3L
Размер памяти 4 Gb 4Gbit (256M x 16)
Организация памяти 256M x 16 —
Скорость передачи данных 1866 Mbps —
Напряжение питания 1.5 V 1.35 V
Рабочая температура 0°C to 85°C [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Корпус 96-FBGA 96-FBGA (9x14 mm)
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Memory Interface Parallel —
RoHS Compliant —
Без галогенов Yes —
Lead Free Yes —
Статус жизненного цикла EOL —
Technology DDR3 —
Number of Terminals 96 —
Разрядность шины данных — 16 bit
Clock Frequency — 800 MHz
Access Time — 13.75 ns
Количество выводов — 96
Статус RoHS — Compliant
Lead-Free — Yes
Logic Family — CMOS
Refresh Interval — 7.8 us at 85C
Задержка CAS — 11

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену