K4B4G1646D-BCMA0 vs MT41K256M16HA-125 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von K4B4G1646D-BCMA0 von Samsung Electronics und MT41K256M16HA-125 von Micron Technology. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Samsung Electronics
K4B4G1646D-BCMA0 K4B4G1646D-BCMA0 - 4Gb DDR3 SDRAM 256Mx16 | Samsung

K4B4G1646D-BCMA0 - 4Gb DDR3 SDRAM 256Mx16 | Samsung

K4B4G1646D-BCMA0 ✗ Abgekündigt
Micron Technology
MT41K256M16HA-125 MT41K256M16HA-125 - 4Gbit DDR3L SDRAM 800MHz | Micron

MT41K256M16HA-125 - 4Gbit DDR3L SDRAM 800MHz | Micron

MT41K256M16HA-125 ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter K4B4G1646D-BCMA0 MT41K256M16HA-125
Marke Samsung Electronics Micron Technology
Kategorie Memory ICs Memory ICs
Lebenszyklusstatus Ende des Lebenszyklus Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $5,90 $6,36
Speichertyp DDR3 SDRAM SDRAM - DDR3L
Speichergröße 4 Gb 4Gbit (256M x 16)
Speicherorganisation 256M x 16 —
Datenrate 1866 Mbps —
Versorgungsspannung 1.5 V 1.35 V
Betriebstemperatur 0°C to 85°C [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Gehäuse 96-FBGA 96-FBGA (9x14 mm)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Memory Interface Parallel —
RoHS Compliant —
Halogenfrei Yes —
Lead Free Yes —
Lebenszyklusstatus EOL —
Technology DDR3 —
Number of Terminals 96 —
Datenbusbreite — 16 bit
Clock Frequency — 800 MHz
Access Time — 13.75 ns
Anzahl der Pins — 96
RoHS-Status — Compliant
Lead-Free — Yes
Logic Family — CMOS
Refresh Interval — 7.8 us at 85C
CAS-Latenz — 11

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