K4B4G1646D-BCMA0 vs MT41K256M16HA-125 比較

詳細な並列比較: K4B4G1646D-BCMA0 メーカー: Samsung Electronics および MT41K256M16HA-125 メーカー: Micron Technology。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

Samsung Electronics
K4B4G1646D-BCMA0 K4B4G1646D-BCMA0 - 4Gb DDR3 SDRAM 256Mx16 | Samsung

K4B4G1646D-BCMA0 - 4Gb DDR3 SDRAM 256Mx16 | Samsung

K4B4G1646D-BCMA0 ✗ 生産終了
Micron Technology
MT41K256M16HA-125 MT41K256M16HA-125 - 4Gbit DDR3L SDRAM 800MHz | Micron

MT41K256M16HA-125 - 4Gbit DDR3L SDRAM 800MHz | Micron

MT41K256M16HA-125 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ K4B4G1646D-BCMA0 MT41K256M16HA-125
ブランド Samsung Electronics Micron Technology
カテゴリ Memory ICs Memory ICs
ライフサイクル状態 製造終了 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $5.90 $6.36
メモリタイプ DDR3 SDRAM SDRAM - DDR3L
メモリサイズ 4 Gb 4Gbit (256M x 16)
メモリ構成 256M x 16 —
データレート 1866 Mbps —
電源電圧 1.5 V 1.35 V
動作温度 0°C to 85°C [DATA_NEEDED: operating temperature range]
パッケージ 96-FBGA 96-FBGA (9x14 mm)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
Memory Interface Parallel —
RoHS Compliant —
ハロゲンフリー Yes —
Lead Free Yes —
ライフサイクル状態 EOL —
Technology DDR3 —
Number of Terminals 96 —
データバス幅 — 16 bit
Clock Frequency — 800 MHz
Access Time — 13.75 ns
ピン数 — 96
RoHS ステータス — Compliant
Lead-Free — Yes
Logic Family — CMOS
Refresh Interval — 7.8 us at 85C
CASレイテンシ — 11

データシート&リソース

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